Věda a výzkum       Akademon       Vesmír       Osel       AVO       Chemagazín TOPlist       Kontakt 
Laboratorní průvodce - na titulní stranu
Databáze:   Laboratorní přístroje        Firmy        Zastoupení        E-obchody        Novinky 
Hledání:  
 
Ostatní:       Nástroje        Encyklopedie        Tabulky 
Kalendář :   17.9.2018 - 20.9.2018 Odběry vzorků 2018
  22.9.2018 - 25.9.2018 INDC 2018
  15.10.2018 - 18.10.2018 Analýza anorganických látek 2018
  5.11.2018 - 7.11.2018 Příprava a užití referenčních matariálů a mezilaboratorního porovnání zkoušek VII
  9.4.2019 - 11.4.2019 Powtech
Reklama
Spintronika v grafenu zcela jinou cestou

Vědci z Chalmers University of Technology vyvinuli prototyp zajímavého elementu, který může sloužit jako přepínač spinů elektronů funkčně podobný tranzistoru či přímo jako úložiště magnetické informace v grafenu. Tato oblast použití se nazývá spintronika.

Datum: 1.9.2017

spintronika, grafen


 

Sdílet na Facebooku   Odeslat na Twitter

Uspořádání spinů mezi elektrony vedenými v grafenu (mimořádně vodivá uhlíková vrstva) může sloužit k přenosu informace. Bylo již ověřeno, že uspořádané spiny mezi elektrony mohou v grafenu cestovat na mnohem delší vzdálenosti a s delší dobou života než v jakémkoliv jiném materiálu.

K tomu, aby bylo možné vedený spinový signál ovládat (a tím pracovat funkčně podobně jako tranzistor) je zapotřebí další vrstva 2D materiálu s odlišnými spintronickými vlastnostmi. Vědci použili disulfid molybdenu (MoS2). MoS2 má oproti grafenu velice krátkou dobu životnosti spinu. Vrstvičky MoS2 byly umístěny epitaxí (nanášením) přes sebe na jedno místo na grafenu. Vznikla tak tzv. heterostruktura.

Zaprvé se velikost spinového signálu a doba jeho života v grafenu zmenšily 10x v blízkosti vrstvičky MoS2. Zadruhé bylo možné toto zmenšení ovládat tzv. gate-napětím na MoS2 díky existenci Schottkyho bariéry (potenciálová energie na přechodu kov-polovodič, je jiná v závislosti na směru přechodu elektronu a má tedy usměrňující funkci - jako dioda). Výsledkem bylo, že aplikací gate-napětí bylo možné ovládat spin procházejících elektronů a vznikl tak "spintronický tranzistor".

Reklama

Toto bylo poprvé, kdy se výše popsaný spintronický jev podařilo demonstrovat při běžné pokojové teplotě. Zatím je příliš brzy na předpovědi, zda se zařízení bude dát opravdu v praxi použít, ale pokud ano, tak se otevírají dveře ke spintronice ze zcela jiné strany, než se dosud pokoušelo (prováděly se různé manipulace se spiny při extrémně nízkých teplotách).


Zdrojem informací je Chemeurope.
Kredit obrázku: Chalmers University

Pro kompletní informace si přečtěte  celý článek.

 

Reklama

Reklama