Věda a výzkum       Akademon       Vesmír       Osel       AVO       Chemagazín TOPlist       Kontakt 
Laboratorní průvodce - na titulní stranu
Databáze:   Laboratorní přístroje        Firmy        Zastoupení        E-obchody        Novinky 
Hledání:  
 
Ostatní:       Nástroje        Encyklopedie        Tabulky 
Kalendář :   28.6.2018 Webinar: Selecting a Multi-vendor Service Provider
  2.7.2018 - 6.7.2018 45th European Physical Society Conference on Plasma Physics
  19.7.2018 Webinar: Liquid Handling Solutions for Your Lab
  27.7.2018 zatmění Měsíce
  17.9.2018 - 20.9.2018 Odběry vzorků 2018
Reklama
Nejmenší tranzistor ze všech

Výzkumníci překonali bariéru při tvorbě tranzistorů. Vyrobili tranzistor, který má gate z uhlíkové nanotyčinky dlouhou pouhý 1 nm.

Datum: 12.10.2016

nejmenší tranzitor, molybden disulfid


 

Sdílet na Facebooku   Odeslat na Twitter

Po více než poslední dekádu, inženýři viděli před sebou konečnou linii v závodech o miniaturizaci elektroniky v integrovaných obvodech. Podle zákonů fyziky jí byla velikost gate 5 nanometrů, což je jedna čtvrtina velikosti gate, která se nyní používá v konvenční elektronice (20 nm).
Výzkumný tým z Berkeley Lab však ukázal, že i toto omezení může být narušeno. Vytvořil funkční tranzistor s gate o velikosti 1 nm. Toto je nejmenší tranzistor na světě, který byl kdy vyroben i ve formě prototypu.

Podstatou celé věci je použití molybden disulfidu (MoS2 - běžné mazadlo ve strojírenství) namísto křemíku. Elektrony proudící skrze vrstvu MoS2 překonávají menší odpor a jsou tzv. "těžší" než v křemíku a to umožňuje použí vrstvičku MoS2 doslova atomicky tenkou: 0,65 nm.

Zajímavé na celé záležitosti je to, že může udržet v platnosti tzv. Mooreův zákon (Gordon Moore je zakladatel Intelu), že počet eketronických součástek v integrovaném obvodu se za každých 18 měsíců zdvojnásobí při zachování stejné ceny.

Jelikož při tak malých rozměrech již nelze použít existující litografické techniky, jako gate byla použita uhlíková nanotyřinka o tloušťce pouhého 1 nm.

Reklama

Každopádně, celá technologie pouze ukazuje, že 5 nm není limitem pro tvorbu tranzistoru, ale je to jenom proof of concept. Pokud by se technologie měla uplatnit v praxi, muselo by být překonáno ještě mnoho překážek.


Zdrojem informací je Chemeurope.

Pro kompletní informace si přečtěte  celý článek.

 

Reklama

Reklama